检验二氧化硅的方法有几种？

2019-05-22 11:40:18

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大家发觉二氧化硅对某些杂质向硅中扩散能起掩蔽作用，使用这一特性和光刻技术造就了硅元器件平面工艺。在生产制造中，由于要重复地开展氧化，因此怎样在硅晶体表层生长高品质二氧化硅的技术，便成为硅平面工艺的基础。

二氧化硅

为了确保二氧化硅层的品质，能够选用宏观经济和外部经济的方式开展检测。宏观法是用平行面日光灯观查氧化层表层的品质，外部经济可选用有机化学腐蚀，随后根据光学显微镜开展观察。下面介绍一下工艺中常用的方法及出现的问题。

测量氧化层厚度一般选用二种方式，即比色法和干预法。

比色法：生产制造中发觉，不一样厚度的氧化层，展现出不一样的颜色，伴随着厚度的提升，颜色从深灰色逐渐变到鲜红色，当厚度再次提升时，氧化层颜色从蓝紫色到鲜红色规律性转变，因而大家制取了颜色与厚度中间关联的表，用于粗略估计氧化层厚度。在氧化标准已定，加工工艺平稳的状况下，选用这类方式是简洁明了、便捷的。

另一种测氧化层厚度的方式是双光干预法，它是运用氧化层台阶上干涉条纹数量来求氧化层的厚度，其优势是机器设备简洁明了，而且测量准确。

测量氧化层厚度首先要制取氧化层的台阶，在样照的二氧化硅层上放黑胶或真空泵植物油脂维护一定地区，随后放进盐酸中，将未维护的二氧化硅层腐蚀掉，腐蚀时选用稀释液的盐酸实际效果不错，氧化层的台阶较宽，此外時间不适合太长。腐蚀好之后，用二甲苯或甲苯将黑胶擦下去，在沒有腐蚀二氧化硅层的边沿处展现一台阶，台阶越宽，显示信息出的干涉条纹，就越清晰，测量也准确。

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