大家发觉二氧化硅对某些杂质向硅中扩散能起掩蔽作用,使用这一特性和光刻技术造就了硅元器件平面工艺。在生产制造中,由于要重复地开展氧化,因此怎样在硅晶体表层生长高品质二氧化硅的技术,便成为硅平面工艺的基础。
为了确保二氧化硅层的品质,能够选用宏观经济和外部经济的方式开展检测。宏观法是用平行面日光灯观查氧化层表层的品质,外部经济可选用有机化学腐蚀,随后根据光学显微镜开展观察。下面介绍一下工艺中常用的方法及出现的问题。
测量氧化层厚度一般选用二种方式,即比色法和干预法。
比色法:生产制造中发觉,不一样厚度的氧化层,展现出不一样的颜色,伴随着厚度的提升,颜色从深灰色逐渐变到鲜红色,当厚度再次提升时,氧化层颜色从蓝紫色到鲜红色规律性转变,因而大家制取了颜色与厚度中间关联的表,用于粗略估计氧化层厚度。在氧化标准已定,加工工艺平稳的状况下,选用这类方式是简洁明了、便捷的。
另一种测氧化层厚度的方式是双光干预法,它是运用氧化层台阶上干涉条纹数量来求氧化层的厚度,其优势是机器设备简洁明了,而且测量准确。
测量氧化层厚度首先要制取氧化层的台阶,在样照的二氧化硅层上放黑胶或真空泵植物油脂维护一定地区,随后放进盐酸中,将未维护的二氧化硅层腐蚀掉,腐蚀时选用稀释液的盐酸实际效果不错,氧化层的台阶较宽,此外時间不适合太长。腐蚀好之后,用二甲苯或甲苯将黑胶擦下去,在沒有腐蚀二氧化硅层的边沿处展现一台阶,台阶越宽,显示信息出的干涉条纹,就越清晰,测量也准确。