二氧化硅的检验方法介绍

2020-07-20 11:51:30

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大家发现二氧化硅对一些残渣向硅中外扩散能开掩蔽功效，运用这一特性和光刻工艺造就了硅元器件平面工艺。在生产制造中，由于要重复地开展氧化，因此怎样在硅晶体表层生长发育高品质二氧化硅的技术性，便变成硅平面工艺的基本。

二氧化硅厂家

以便确保二氧化硅价格层的品质，能够采用宏观经济和外部经济的方式开展检测。宏观经济法是用平行面日光灯观查氧化层表层的品质，外部经济可采用化学腐蚀，随后根据光学显微镜开展观察。下边二氧化硅厂家介绍一下加工工艺中常见的方式及出現的问题。

准确测量氧化层厚度一般采用二种方式，即比色法和干涉法。

比色法：生产制造中发觉，不一样厚度的氧化层，展现出不一样的颜色，伴随着厚度的提升，颜色从深灰色逐渐变到鲜红色，当厚度再次提升时，氧化层颜色从蓝紫色到鲜红色规律性转变，因而大家制取了颜色与厚度中间关联的表，用于粗略估计氧化层厚度。在氧化标准已定，加工工艺平稳的状况下，采用这类方式是简易、便捷的。

另一种测氧化层厚度的方式是双光干涉法，它是运用氧化层台阶上干涉条纹数量去求氧化层的厚度，其优点是设备简单，并且测量准确。

测量氧化层厚度首先要制备氧化层的台阶，在样照的二氧化硅层上放黑胶或真空泵植物油脂维护一定地区，随后放进盐酸中，将未维护的二氧化硅层浸蚀掉，浸蚀时采用稀释液的盐酸实际效果不错，氧化层的台阶较宽，此外時间不适合太长。浸蚀好之后，用二甲苯或甲苯将黑胶擦下去，在沒有浸蚀二氧化硅层的边沿处展现一台阶，台阶越宽，显示信息出的干涉条纹，就越清晰，测量也准确。

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