纳米二氧化硅
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二氧化硅的检验方法介绍

2019-05-22 11:40:18

大家发现二氧化硅对一些残渣向硅中外扩散能开掩蔽功效,运用这一特性和光刻工艺造就了硅元器件平面工艺。在生产制造中,由于要重复地开展氧化,因此 怎样在硅晶体表层生长发育高品质二氧化硅的技术性,便变成硅平面工艺的基本。

二氧化硅厂家

以便确保二氧化硅价格层的品质,能够采用宏观经济和外部经济的方式开展检测。宏观经济法是用平行面日光灯观查氧化层表层的品质,外部经济可采用化学腐蚀,随后根据光学显微镜开展观察。下边二氧化硅厂家介绍一下加工工艺中常见的方式及出現的问题。

准确测量氧化层厚度一般 采用二种方式,即比色法和干涉法。

比色法:生产制造中发觉,不一样厚度的氧化层,展现出不一样的颜色,伴随着厚度的提升,颜色从深灰色逐渐变到鲜红色,当厚度再次提升时,氧化层颜色从蓝紫色到鲜红色规律性转变,因而大家制取了颜色与厚度中间关联的表,用于粗略估计氧化层厚度。在氧化标准已定,加工工艺平稳的状况下,采用这类方式是简易、便捷的。

另一种测氧化层厚度的方式是双光干涉法,它是运用氧化层台阶上干涉条纹数量去求氧化层的厚度,其优点是设备简单,并且测量准确。

 测量氧化层厚度首先要制备氧化层的台阶,在样照的二氧化硅层上放黑胶或真空泵植物油脂维护一定地区,随后放进盐酸中,将未维护的二氧化硅层浸蚀掉,浸蚀时采用稀释液的盐酸实际效果不错,氧化层的台阶较宽,此外時间不适合太长。浸蚀好之后,用二甲苯或甲苯将黑胶擦下去,在沒有浸蚀二氧化硅层的边沿处展现一台阶,台阶越宽,显示信息出的干涉条纹,就越清晰,测量也准确。


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